| 1. Identificação | ||||
| Tipo de Referência | Artigo em Revista Científica (Journal Article) | |||
| Site | mtc-m21c.sid.inpe.br | |||
| Código do Detentor | isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S | |||
| Identificador | 8JMKD3MGP3W34R/3UA38LL | |||
| Repositório | sid.inpe.br/mtc-m21c/2019/10.25.11.36 (acesso restrito) | |||
| Última Atualização | 2019:10.25.11.36.04 (UTC) administrator | |||
| Repositório de Metadados | sid.inpe.br/mtc-m21c/2019/10.25.11.36.04 | |||
| Última Atualização dos Metadados | 2020:01.07.18.01.11 (UTC) administrator | |||
| DOI | 10.1021/acs.jpcc.9b05377 | |||
| ISSN | 1932-7447 | |||
| Chave de Citação | MorelhãoKyNeFoRaAb:2019:DyDeVa | |||
| Título | Dynamics of defects in van der Waals epitaxy of bismuth telluride topological insulators  | |||
| Ano | 2019 | |||
| Mês | Oct. | |||
| Data de Acesso | 03 maio 2024 | |||
| Tipo de Trabalho | journal article | |||
| Tipo Secundário | PRE PI | |||
| Número de Arquivos | 1 | |||
| Tamanho | 2083 KiB | |||
| 2. Contextualização | ||||
| Autor | 1 Morelhão, Sérgio L. 2 Kycia, Stefan W. 3 Netzke, Samuel 4 Fornari, Celso Israel 5 Rappl, Paulo Henrique de Oliveira 6 Abramof, Eduardo | |||
| Identificador de Curriculo | 1 2 3 4 5 8JMKD3MGP5W/3C9JJ37 6 8JMKD3MGP5W/3C9JGUH | |||
| Grupo | 1 2 3 4 CMS-ETES-SESPG-INPE-MCTIC-GOV-BR 5 LABAS-COCTE-INPE-MCTIC-GOV-BR 6 LABAS-COCTE-INPE-MCTIC-GOV-BR | |||
| Afiliação | 1 University of Guelph 2 University of Guelph 3 Universidade de São Paulo (USP) 4 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) 5 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) 6 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) | |||
| Endereço de e-Mail do Autor | 1 2 3 4 celso.fornari@inpe.br 5 paulo.rappl@inpe.br 6 eduardo.abramof@inpe.br | |||
| Revista | Journal of Physical Chemistry C | |||
| Volume | 123 | |||
| Número | 40 | |||
| Páginas | 24818-24825 | |||
| Histórico (UTC) | 2019-10-25 11:36:31 :: simone -> administrator :: 2019 2020-01-07 18:01:11 :: administrator -> simone :: 2019 | |||
| 3. Conteúdo e estrutura | ||||
| É a matriz ou uma cópia? | é a matriz | |||
| Estágio do Conteúdo | concluido | |||
| Transferível | 1 | |||
| Tipo do Conteúdo | External Contribution | |||
| Tipo de Versão | publisher | |||
| Resumo | Potential applications in spintronics and quantum information processing have motivated much recent research in epitaxial films of bismuth telluride. This system is also an example of van der Waals (vdW) epitaxy, where the interface coherence between the film and substrate is based on vdW bonds instead of strong ionic or covalent bonds. Because of the weakness of the vdW bonds, the overall quality of the epitaxial films is difficult to control and structural defects are easily introduced with a significant impact on the electronic phase diagram of the epitaxial films. To elucidate the evolution of defects as a function of the growth parameters, we combine nondestructive methods for electrical and structural analysis, as well as to establish intercorrelations between structural features and density of free charge carriers. It clearly shows that point defects and twinned domains favor p-type of charge carriers. Passivation of points defects by formation of metallic bismuth bilayers (BLs) drastically changes the whole film properties. By replacing vdW bonds with weak covalent bonds, the presence of BLs increases the film stiffness, leading to a smaller lattice misfit and a larger lateral lattice coherence length. Charge carriers are flipped to n-type. A few percent of BLs can be a strategy to achieve films with enhanced performance for device applications. | |||
| Área | FISMAT | |||
| Arranjo 1 | urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Dynamics of defects... | |||
| Arranjo 2 | urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção pgr ATUAIS > CMS > Dynamics of defects... | |||
| Conteúdo da Pasta doc | acessar | |||
| Conteúdo da Pasta source | não têm arquivos | |||
| Conteúdo da Pasta agreement |
| |||
| 4. Condições de acesso e uso | ||||
| Idioma | en | |||
| Grupo de Usuários | self-uploading-INPE-MCTI-GOV-BR simone | |||
| Visibilidade | shown | |||
| Permissão de Leitura | deny from all and allow from 150.163 | |||
| Permissão de Atualização | não transferida | |||
| 5. Fontes relacionadas | ||||
| Vinculação | 8JMKD3MGP3W34P/3NAEMRH | |||
| Unidades Imediatamente Superiores | 8JMKD3MGPCW/3ESR3H2 8JMKD3MGPCW/3F358GL | |||
| Divulgação | WEBSCI; PORTALCAPES; SCOPUS. | |||
| Acervo Hospedeiro | urlib.net/www/2017/11.22.19.04 | |||
| 6. Notas | ||||
| Campos Vazios | alternatejournal archivingpolicy archivist callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel e-mailaddress format isbn keywords label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarykey secondarymark session shorttitle sponsor subject targetfile tertiarytype url | |||
| 7. Controle da descrição | ||||
| e-Mail (login) | simone | |||
| atualizar | ||||